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Características Básicas do Transistor Mosfet IRFP260N
- Tipo: Canal-N
- Tensão de ruptura Dreno-Source: 200 V
- Tensão Gate-Source, máximo: ± 20 V
- Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 40mΩ
- Corrente contínua Dreno: 50 A
- Carga Total da Gate: 234 nC
- Dissipação de energia: 300 W
- Range de temperatura da junção de operação: -55 a +175 °C
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Encapsulamento: TO-247AC
Confira a lista completa de equivalência e substituição de
Transistores Bipolar, Mosfets, Diodo Zener e Pinagem de Módulos
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Substituição de Transistores, Mosfet, Diodo, Datasheet, Pinagem,
Módulos!Substitutos e Equivalentes para o Transistor IRFP260N
O transistor IRFP260N pode ser substituído pelos seguintes
transistores:
IRFP260M, IRFP4332, IRFP4332PbF, IRFP4668, IRFP4668Pbf, IRFP90N20D, IRFP4227, IRFP4232, IRFP4768.
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