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Características Básicas do Transistor Mosfet IRFP4668
- Tipo: Canal-N
- Tensão de ruptura Dreno-Source: 200 V
- Tensão Gate-Source, máximo: ± 30 V
- Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 9,7 mΩ
- Corrente contínua Dreno: 130 A
- Carga Total da Gate: 161 nC
- Dissipação de energia: 520 W
- Range de temperatura da junção de operação: -55 a +175 °C
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Encapsulamento: TO-247AC
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A diferença principal entre os transistores IRFP4668 e IRFP4668PbF reside na terminação "PbF". O sufixo "PbF" indica que o transistor é livre de chumbo, conforme as
regulamentações ambientais. Em termos de desempenho elétrico,
ambos os transistores são semelhantes.
Substitutos e Equivalentes para o Transistor IRFP4668
O transistor IRFP4668 pode ser substituído pelos seguintes transistores:
IRFP4668Pbf, AUIRFP4668.
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