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segunda-feira, 10 de dezembro de 2018

Datasheet Pinagem - Transistor Mosfet Canal-N IRFP4668 - Características e Substituição

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Características Básicas do Transistor Mosfet IRFP4668

  • Tipo: Canal-N
  • Tensão de ruptura Dreno-Source: 200 V
  • Tensão Gate-Source, máximo: ± 30 V
  • Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 9,7 m
  • Corrente contínua Dreno: 130 A
  • Carga Total da Gate: 161 nC
  • Dissipação de energia: 520 W
  • Range de temperatura da junção de operação: -55 a +175 °C
  • Encapsulamento: TO-247AC


Informação Relevante

A diferença principal entre os transistores IRFP4668 IRFP4668PbF reside na terminação "PbF". O sufixo "PbF" indica que o transistor é livre de chumbo, conforme as regulamentações ambientais. Em termos de desempenho elétrico, ambos os transistores são semelhantes.

Substitutos e Equivalentes para o Transistor IRFP4668

O transistor IRFP4668 pode ser substituído pelos seguintes transistores: 
IRFP4668Pbf, AUIRFP4668.

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Forte abraço!
Deus vos Abençoe!
Shalom.

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