Datasheet Pinagem - Transistor Mosfet Canal-N IRFP4668PbF - Características e Substituição

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Características Básicas do Transistor Mosfet IRFP4668PbF

• Tipo: Canal-N
• Tensão de ruptura Dreno-Source: 200 V
• Tensão Gate-Source, máximo: ± 30 V
• Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 9,7 mΩ
• Corrente contínua Dreno: 130 A
• Carga Total da Gate: 241 nC
• Dissipação de energia: 520 W
• Range de temperatura da junção de operação: -55 a +175 °C
• Encapsulamento: TO-247AC
  
  

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Informação Relevante

A diferença principal entre os transistores IRFP4668 e IRFP4668PbF reside na terminação "PbF". O sufixo "PbF" indica que o transistor é livre de chumbo, conforme as regulamentações ambientais. Em termos de desempenho elétrico, ambos os transistores são semelhantes.

Substitutos e Equivalentes para o Transistor IRFP4668PbF

O transistor IRFP4668PbF pode ser substituído pelos seguintes transistores: 

IRFP4668, AUIRFP4668.

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