FVM Learning

Nosso maior compromisso é compartilhar conhecimentos, somos simples, mas não simplórios, astuto, mas não pacóvio, nos posicionamos empenhados em mostrar o caminho para desmistificação do opróbrio em legítima defesa do conhecimento compartilhado. Eng. Jemerson Marques!

segunda-feira, 10 de dezembro de 2018

Datasheet - Pinagem - Transistor Bipolar NPN 2SD669A - Características e Substituição

Pinagem-Pinout-transistor-NPN-2SD669A-Características-Substituição

Características Básicas do Transistor Bipolar NPN 2SD669A

  • Tipo: NPN
  • Tensão Coletor-Emissor: 160 V
  • Tensão Coletor-Base: 180 V
  • Tensão Emissor-Base: 5 V
  • Corrente-Coletor: 1,5 A
  • Dissipação de Coletor: 20 W
  • Ganho de Corrente CC (hfe): 60 a 200
  • Frequência de transição: 140 MHz
  • Range de temperatura da junção de operação: -55 a +150 °C
  • Encapsulamento: TO-126


Classificação hFE

O intervalo de ganho de corrente dos transistores varia conforme a letra sinalizada no final da descrição do transistor no seu encapsulamento. O intervalo da classificação CC (hfe) do transistor 2SD669A estará entre:
  • 2SD669A-B:  60 ~ 120
  • 2SD669A-C: 100 ~ 200
  • 2SD669A: 60 ~ 200

Par Complementar do Transistor: 

O transistor NPN 2SD669A é complementar do transistor PNP 2SB649A

Substitutos e Equivalentes para o Transistor 2SD669A

O transistor 2SD669A pode ser substituído pelos seguintes transistores:

CSD669A, ECG373.


Se você encontrou algum erro, por favor, nos avise através do campo de mensagem abaixo!

Se inscreva no nosso BlogClique Aqui — FVM Learning!

Forte abraço!
Deus vos Abençoe!
Shalom.

Nenhum comentário:

Postar um comentário