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Características Básicas do Transistor Mosfet IRFP4332PbF
- Tipo: Canal-N
- Tensão de ruptura Dreno-Source: 250 V
- Tensão Gate-Source, máximo: ± 30 V
- Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 33 mΩ
- Corrente contínua Dreno: 57 A
- Carga Total da Gate: 99 nC
- Dissipação de energia: 360 W
- Range de temperatura da junção de operação: -40 a +175 °C
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Encapsulamento: TO-247AC
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A diferença principal entre os transistores IRFP4332 e IRFP4332PbF reside na terminação "PbF". O sufixo "PbF" indica que o transistor é livre de chumbo, conforme as regulamentações ambientais. Em termos de desempenho elétrico, ambos os transistores são semelhantes.
Substitutos e Equivalentes para o Transistor IRFP4332PbF
O transistor IRFP4332PbF pode ser substituído pelos seguintes
transistores:
IRFP4332, IRFP4868, IRFP4668PbF, 2SK3884‑01, IRFP4868PbF.
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