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Características Básicas do Transistor Mosfet IRF1104
- Tipo: Canal-N
- Tensão de ruptura Dreno-Source: 40 V
- Tensão Gate-Source, Máximo: ± 20 V
- Resistência Máxima Estado Ativo Dreno-Source: 9 mΩ
- Corrente Contínua Dreno: 100A
- Dissipação de energia: 170 W
- Carga Total da Gate: 93 nC
- Range de Temperatura da Junção de Operação: -55 a +150 °C
- Encapsulamento: TO-220AB
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Módulos!Substitutos e Equivalentes para o Transistor IRF1104
O transistor IRF1104 pode ser substituído pelos seguintes transistores:
IRF1404,
IRF1405,
IRF1407,
IRF1607, IRF2804, IRF2805, IRF2907Z,
IRF2907ZPbF,
IRF3205, IRF3808, IRFB3207,
IRFB4110, IRFB4310,
IRLB3034,
IRF2204, IRF3305, IRFB3004, IRFB3006, IRFB3077, IRFB3206,
IRFB3256, IRFB3306, IRFB3307, IRFB7430, IRFB7434, IRFB7437,
IRFB7440, IRL1404.
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