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segunda-feira, 10 de dezembro de 2018

Datasheet Pinagem - Transistor Mosfet Canal-N IRFB3207PbF - Características e Substituição

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Características Básicas do Transistor Mosfet IRFB3207PbF

  • Tipo: Canal-N
  • Tensão de Ruptura Dreno-Source: 75 V
  • Tensão Gate-Source, máximo: ± 20 V
  • Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 4,5 mΩ
  • Corrente contínua Dreno: 180 A
  • Carga Total da Gate: 180 nC
  • Dissipação de energia: 330 W
  • Range de temperatura da junção de operação: -55 a +175 °C
  • Encapsulamento: TO-220AB


Informação Relevante

A diferença principal entre os transistores IRFB3207 IRFB3207PbF reside na terminação "PbF". O sufixo "PbF" indica que o transistor é livre de chumbo, conforme as regulamentações ambientais. Em termos de desempenho elétrico, ambos os transistores são semelhantes.

Substitutos e Equivalentes para o Transistor IRFB3207PbF

O transistor IRFB3207PbF pode ser substituído pelos seguintes transistores: 
IRFB3077, IRFB3077GPbF, IRFB3077PbFIRFB3207IRFB4110, IRFB4110G, IRLB4030, IRLB4030PBF.

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Forte abraço.
Deus vos Abençoe!
Shalom!

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