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Características Básicas do Transistor Mosfet IRF510
- Tipo: Canal-N
- Tensão de ruptura Dreno-Source: 100 V
- Tensão Gate-Source, máximo: ± 20 V
- Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 0,54 Ω
- Corrente contínua Dreno: 5,6 A
- Carga Total da Gate: 8,3 nC
- Dissipação de energia: 43 W
- Range de temperatura da junção de operação: -55 a +175 °C
- Encapsulamento: TO-220
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Substitutos e Equivalentes para o Transistor IRF510
O transistor IRF510 pode ser substituído pelos seguintes
transistores:
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