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segunda-feira, 10 de dezembro de 2018

Datasheet - Pinagem - Transistor Mosfet Canal-N IRF520 - Características e Substituição

Pinagem-Pinout-Transistor-Mosfet-Canal-N-IRF520-Características-Substituição

Características Básicas do Transistor Mosfet IRF520

  • Tipo: Canal-N
  • Tensão de ruptura Dreno-Source: 100 V
  • Tensão Gate-Source, máximo: ± 20 V
  • Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 0,27 Ω
  • Corrente contínua Dreno: 9,2 A
  • Carga Total da Gate: 16 nC
  • Dissipação de energia: 60 W
  • Range de temperatura da junção de operação: -55 a +175 °C
  • Encapsulamento: TO-220AB


Substitutos e Equivalentes para o Transistor IRF520

O transistor IRF520 pode ser substituído pelos seguintes transistores: 
IRF530, IRF540IRF640, IRF540PBF, IRF640PBF, 2SK2399.

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Forte abraço!
Deus vos Abençoe!
Shalom.

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