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Características Básicas do Transistor Mosfet IRF530
- Tipo: Canal-N
- Tensão de ruptura Dreno-Source (VDSS): 100 V
- Tensão Gate-Source, máximo (VGS): ± 20 V
- Resistência máxima estado ativo Dreno-Source (RDS(on)): 0,16 Ω
- Corrente contínua Dreno (ID): 14 A
- Carga Total da Gate (Qg): 30 nC
- Dissipação de energia (PD): 79 W
- Range de temperatura da junção de operação: -55 a +150 °C
- Encapsulamento: TO-220
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Módulos!Par Complementar do Transistor MOSFET:
Substitutos e Equivalentes para o Transistor IRF530
O transistor IRF530 pode ser substituído pelos seguintes
transistores:
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