Pinagem - Pinout - Transistor Mosfet IRF530
Características básica do Transistor Mosfet IRF530
- Tipo: NPN
- Tensão de ruptura Dreno-Source: 100 V
- Tensão Gate-Source, máximo: ± 20 V
- Resistência no estado ativo Dreno-Source, máxima: 0,16 Ohm
- Corrente contínua Dreno: 14 A
- Carga Total da Gate: 30 nC
- Dissipação de energia: 79 W
- Encapsulamento: TO-220
O transistor Mosfet IRF530 e complementar do transistor PNP IRF9530
Substitutos e Equivalentes para o Transistor Mosfet IRF530
Substituído por: IRF530PBF, IRF540, IRF540PBF
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