FVM Learning

Nosso maior compromisso é compartilhar conhecimentos, somos simples, mas não simplórios, astuto, mas não pacóvio, nos posicionamos empenhados em mostrar o caminho para desmistificação do opróbrio em legítima defesa do conhecimento compartilhado. Eng. Jemerson Marques!

segunda-feira, 10 de dezembro de 2018

Datasheet - Pinagem - Transistor Mosfet Canal-P IRF9530 - Características e Substituição

Pinagem-Pinout-Transistor-Mosfet-Canal-P-IRF9530-Características-Substituição

Características Básicas do Transistor Mosfet IRF9530

  • Tipo: Canal-P
  • Tensão de ruptura Dreno-Source: -100 V
  • Tensão Gate-Source, máximo: ± 20 V
  • Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 0,30 Ohm
  • Corrente contínua Dreno: -12 A
  • Carga Total da Gate: 45 nC
  • Dissipação de energia: 75 W
  • Range de temperatura da junção de operação: -55 a +150 °C
  • Encapsulamento: TO-220

Datasheet completo IRF9530

Par Complementar do Transistor MOSFET: 

O transistor IRF9530 é complementar do transistor IRF530

Substitutos e Equivalentes para o Transistor IRF9530

O transistor IRF9530 pode ser substituído pelos seguintes transistores: 
IRF9540, IRF540PBF, IRF9530PBF, IRF9530N, IRF9530NL, IRF9530NS, 2SJ380, IRFIP9140, 2SJ464, 2SJ412, IRF9540PBF, SIHF9540, 2SJ380.

Se você encontrou algum erro, por favor, nos avise através do campo de mensagem abaixo!

Se inscreva no nosso BlogClique Aqui — FVM Learning!

Forte abraço!
Deus vos Abençoe!
Shalom.

Nenhum comentário:

Postar um comentário