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Características Básicas do Transistor Mosfet IRF9530
- Tipo: Canal-P
- Tensão de ruptura Dreno-Source: -100 V
- Tensão Gate-Source, máximo: ± 20 V
- Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 0,30 Ohm
- Corrente contínua Dreno: -12 A
- Carga Total da Gate: 45 nC
- Dissipação de energia: 75 W
- Range de temperatura da junção de operação: -55 a +150 °C
- Encapsulamento: TO-220
Datasheet completo IRF9530
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Substituição de Transistores, Mosfet, Diodo, Datasheet, Pinagem,
Módulos!Par Complementar do Transistor MOSFET:
O transistor IRF9530 é complementar do transistor IRF530
Substitutos e Equivalentes para o Transistor IRF9530
O transistor IRF9530 pode ser substituído pelos seguintes
transistores:
IRF9540, IRF540PBF, IRF9530PBF, IRF9530N, IRF9530NL, IRF9530NS, 2SJ380, IRFIP9140, 2SJ464, 2SJ412,
IRF9540PBF, SIHF9540, 2SJ380.
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