Datasheet - Pinagem - Transistor Mosfet Canal-N IRFB7430Pbf - Características e Substituição

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Características Básicas do Transistor Mosfet IRFB7430Pbf

• Tipo: Canal-N

• Tensão de ruptura Dreno-Source: 40 V

• Tensão Gate-Source, máximo: ± 20 V

• Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 1,3 mΩ

• Corrente contínua Dreno: 409 A

• Carga Total da Gate: 300 nC

• Dissipação de energia: 375W

• Range de temperatura da junção de operação: -55 a +175 °C

• Encapsulamento: TO-220AB
  

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Informação Relevante

A diferença principal entre os transistores IRLB4132 e IRLB4132PbF reside na terminação "PbF". O sufixo "PbF" indica que o transistor é livre de chumbo, conforme as regulamentações ambientais. Em termos de desempenho elétrico, ambos os transistores são semelhantes.

Substitutos e Equivalentes para o Transistor IRFB7430Pbf

O transistor IRFB7430Pbf pode ser substituído pelos seguintes transistores: 

IRFB7430.

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