FVM Learning

Nosso maior compromisso é compartilhar conhecimentos, somos simples, mas não simplórios, astuto, mas não pacóvio, nos posicionamos empenhados em mostrar o caminho para desmistificação do opróbrio em legítima defesa do conhecimento compartilhado. Eng. Jemerson Marques!

segunda-feira, 10 de dezembro de 2018

Datasheet - Pinagem - Transistor Mosfet Canal-P BS250 - Características e Substituição

Pinagem-Pinout-Transistor-Mosfet-Canal-P-BS250-Características-Substituição

Características básicas do Transistor Mosfet BS250

  • Tipo: Canal-P
  • Tensão de ruptura Dreno-Source: -45 V
  • Tensão Gate-Source, máximo: ± 20 V
  • Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 9 Ω
  • Corrente contínua Dreno: 250 mA
  • Dissipação de energia: 830 mW
  • Range de temperatura da junção de operação: -65 à +150 °C
  • Encapsulamento: TO-92

Datasheet completo BS250

Substitutos e Equivalentes para o Transistor BS250

O transistor BS250 pode ser substituídos pelos seguintes transistores: 
TP0610L, VP0610L, ZVP2106A, ZVP2110A.

Se você encontrou algum erro, por favor, nos avise através do campo de mensagem abaixo!

Se inscreva no nosso BlogClique Aqui — FVM Learning!

Forte abraço.

Deus vos Abençoe!
Shalom!

Nenhum comentário:

Postar um comentário