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segunda-feira, 10 de dezembro de 2018

Datasheet - Pinagem - Transistor Mosfet Canal-N IRF630FP - Características e Substituição

Pinagem-Pinout-Transistor-Mosfet-Canal-N-IRF630FP-Características-Substituição

Características Básicas do Transistor Mosfet IRF630FP

  • Tipo: Canal-N
  • Tensão de ruptura Dreno-Source: 200 V
  • Tensão Gate-Source, máximo: ± 20 V
  • Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 0,4
  • Corrente contínua Dreno: 9 A
  • Carga Total da Gate: 45 nC
  • Dissipação de energia: 25 W
  • Range de temperatura da junção de operação: -65 a +150 °C
  • Encapsulamento: TO-220FP


Substitutos e Equivalentes para o Transistor IRF630FP

O transistor IRF630FP pode ser substituído pelos seguintes transistores: 
IRF630IRF640, IRF640PBF, IRF644, IRFB17N50L.

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Forte abraço!
Deus vos Abençoe!
Shalom.

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