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Características Básicas do Transistor Mosfet 2SK1011
- Tipo: Canal-N
- Tensão de ruptura Dreno-Source: 450 V
- Tensão Gate-Source, máximo: ± 30 V
- Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 0,65 Ω
- Corrente contínua Dreno: 10A
- Dissipação de energia: 100 W
- Range de temperatura da junção de operação: -55 a +150 °C
- Encapsulamento: TO-3PN
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Módulos!Substitutos e Equivalentes para o Transistor 2SK1011
O transistor Mosfet 2SK1011 pode ser substituído pelos seguintes transistores:
18N60, 20N60, 20N65, 22N60, 2SK1013, 2SK1016, 2SK1017, 2SK1018, 2SK1165, 2SK1517, 2SK2032, 15N60,
18N50.
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