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Características Básicas do Transistor Mosfet 18N60
- Tipo: Canal-N
- Tensão de ruptura Dreno-Source: 600 V
- Tensão Gate-Source, máximo: ± 30 V
- Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 400mΩ
- Corrente contínua Dreno: 18 A
- Carga Total da Gate: 50 nC
- Dissipação de energia: 360 W
- Range de temperatura da junção de operação: -55 a +150 °C
- Encapsulamento: TO-247
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Substituição de Transistores, Mosfet, Diodo, Datasheet, Pinagem, Módulos!Substitutos e Equivalentes para o Transistor 18N60
O transistor 18N60 pode ser substituído pelos seguintes transistores:
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