Datasheet - Pinagem - Transistor Mosfet Canal-N 18N60 - Características e Substituição

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Características Básicas do Transistor Mosfet 18N60

• Tipo: Canal-N
• Tensão de ruptura Dreno-Source: 600 V
• Tensão Gate-Source, máximo: ± 30 V
• Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 400mΩ
• Corrente contínua Dreno: 18 A
• Carga Total da Gate: 50 nC
• Dissipação de energia: 360 W
• Range de temperatura da junção de operação: -55 a +150 °C
• Encapsulamento: TO-247
  
  

Datasheet completo: 18N60

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Substitutos e Equivalentes para o Transistor 18N60

O transistor 18N60 pode ser substituído pelos seguintes transistores:

20N60, 20N65, 22N60, 18N65, 22N65.

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