|
| Pinagem-Pinout-Transistor-Mosfet-Canal-N-20N60-Características-Substituição |
Características Básicas do Transistor Mosfet 20N60
- Tipo: Canal-N
- Tensão de ruptura Dreno-Source: 600 V
- Tensão Gate-Source, máximo: ± 20 V
- Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 0,32 Ω
- Corrente contínua Dreno: 20 A
- Carga Total da Gate: 170 nC
- Dissipação de energia: 370 W
- Range de temperatura da junção de operação: -55 a +150 °C
- Encapsulamento: TO-247
Datasheet completo 20N60
Confira a lista completa de equivalência e substituição de Transistores
Bipolar, Mosfets, Diodo Zener e Pinagem de Módulos Embarcados! Clique no
link abaixo!
Substituição de Transistores, Mosfet, Diodo, Datasheet, Pinagem,
Módulos!Substitutos e Equivalentes para o Transistor 20N60
O transistor Mosfet 20N60 pode ser substituído pelos seguintes transistores:
20N65, 22N60, 22N65.
Se você encontrou algum erro, por favor, nos avise através do campo de
mensagem abaixo!
Se inscreva no nosso Blog! Clique Aqui — FVM Learning!
Forte abraço!
Deus vos Abençoe!
Shalom.
Nenhum comentário:
Postar um comentário