Datasheet - Pinagem - Transistor Mosfet Canal-N 20N60 - Características e Substituições

Pinagem-Pinout-Transistor-Mosfet-Canal-N-20N60-Características-Substituição

Características Básicas do Transistor Mosfet 20N60

• Tipo: Canal-N
• Tensão de ruptura Dreno-Source: 600 V
• Tensão Gate-Source, máximo: ± 20 V
• Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 0,32 Ω
• Corrente contínua Dreno: 20 A
• Carga Total da Gate: 170 nC
• Dissipação de energia: 370 W
• Range de temperatura da junção de operação: -55 a +150 °C
• Encapsulamento: TO-247

Datasheet completo 20N60

Confira a lista completa de equivalência e substituição de Transistores Bipolar, Mosfets, Diodo Zener e Pinagem de Módulos Embarcados! Clique no link abaixo!

Substituição de Transistores, Mosfet, Diodo, Datasheet, Pinagem, Módulos!

Substitutos e Equivalentes para o Transistor 20N60

O transistor Mosfet 20N60 pode ser substituído pelos seguintes transistores: 
22N60, 20N65, 22N65.

Se você encontrou algum erro, por favor, nos avise através do campo de mensagem abaixo!

Se inscreva no nosso Blog! Clique Aqui — FVM Learning!

Forte abraço!
Deus vos Abençoe!
Shalom.