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segunda-feira, 10 de dezembro de 2018

Datasheet - Pinagem - Transistor Mosfet Canal-N 20N60 - Características e Substituições

Pinagem-Pinout-Transistor-Mosfet-Canal-N-20N60-Características-Substituição

Características Básicas do Transistor Mosfet 20N60

  • Tipo: Canal-N
  • Tensão de ruptura Dreno-Source: 600 V
  • Tensão Gate-Source, máximo: ± 20 V
  • Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 0,32 Ω
  • Corrente contínua Dreno: 20 A
  • Carga Total da Gate: 170 nC
  • Dissipação de energia: 370 W
  • Range de temperatura da junção de operação: -55 a +150 °C
  • Encapsulamento: TO-247

Datasheet completo 20N60

Substitutos e Equivalentes para o Transistor 20N60

O transistor Mosfet 20N60 pode ser substituído pelos seguintes transistores: 
22N60, 20N65, 22N65.

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Forte abraço!
Deus vos Abençoe!
Shalom.

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