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Características Básicas do Transistor Bipolar PNP 2SB649
- Tipo: PNP
- Tensão Coletor-Emissor: -120 V
- Tensão Coletor-Base: -180 V
- Tensão Emissor-Base: -5 V
- Corrente-Coletor: -1,5 A
- Dissipação de Coletor: 20 W
- Ganho de Corrente CC (hfe): 60 a 320
- Frequência de transição: 140 MHz
- Range de temperatura da junção de operação: -55 a +150 °C
-
Encapsulamento: TO-126
Confira a lista completa de equivalência e substituição de
Transistores Bipolar, Mosfets, Diodo Zener e Pinagem de Módulos
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Substituição de Transistores, Mosfet, Diodo, Datasheet, Pinagem,
Módulos!Classificação hFE
O intervalo de ganho de corrente dos transistores varia conforme
a letra sinalizada no final da descrição do transistor no seu
encapsulamento. O intervalo da classificação CC (hfe) do
transistor 2SB649 estará entre:
-
2SD649-B: 60 ~ 120
-
2SD649-C: 100 ~ 200
-
2SD649-D: 160 ~ 320
-
2SD649: 60 ~ 320
- 2SD649-B: 60 ~ 120
- 2SD649-C: 100 ~ 200
- 2SD649-D: 160 ~ 320
- 2SD649: 60 ~ 320
Par Complementar do Transistor:
O transistor PNP 2SB649 é complementar do transistor NPN 2SD669
Substitutos e Equivalentes para o Transistor 2SB649
O transistor 2SB649 pode ser substituído pelos seguintes transistores:
2SB649A, CSA1220A, ECG374.
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