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segunda-feira, 10 de dezembro de 2018

Datasheet - Pinagem - Transistor Bipolar NPN 2SD669 - Características e Substituição

Pinagem-Pinout-transistor-NPN-2SD669-Características-Substituição

Características Básicas do Transistor Bipolar NPN 2SD669

  • Tipo: NPN
  • Tensão Coletor-Emissor: 120 V
  • Tensão Coletor-Base: 180 V
  • Tensão Emissor-Base: 5 V
  • Corrente-Coletor: 1,5 A
  • Dissipação de Coletor: 20 W
  • Ganho de Corrente CC (hfe): 60 a 320
  • Frequência de transição: 140 MHz
  • Range de temperatura da junção de operação: -55 a +150 °C
  • Encapsulamento: TO-126


Classificação hFE

O intervalo de ganho de corrente dos transistores varia conforme a letra sinalizada no final da descrição do transistor no seu encapsulamento. O intervalo da classificação CC (hfe) do transistor 2SD669A estará entre:
  • 2SD669-B:  60 ~ 120
  • 2SD669-C: 100 ~ 200
  • 2SD669-D: 160 ~ 320
  • 2SD669: 60 ~ 320

Par Complementar do Transistor: 

O transistor NPN 2SD669 é complementar do transistor PNP 2SB649

Substitutos e Equivalentes para o Transistor 2SD669

O transistor 2SD669 pode ser substituído pelos seguintes transistores:

2SD669A, CSD669A, ECG373.


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Forte abraço!
Deus vos Abençoe!
Shalom.

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