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Características Básicas do Transistor Bipolar NPN 2SD669
- Tipo: NPN
- Tensão Coletor-Emissor: 120 V
- Tensão Coletor-Base: 180 V
- Tensão Emissor-Base: 5 V
- Corrente-Coletor: 1,5 A
- Dissipação de Coletor: 20 W
- Ganho de Corrente CC (hfe): 60 a 320
- Frequência de transição: 140 MHz
- Range de temperatura da junção de operação: -55 a +150 °C
-
Encapsulamento: TO-126
Confira a lista completa de equivalência e substituição de
Transistores Bipolar, Mosfets, Diodo Zener e Pinagem de Módulos
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Substituição de Transistores, Mosfet, Diodo, Datasheet, Pinagem,
Módulos!Classificação hFE
O intervalo de ganho de corrente dos transistores varia conforme
a letra sinalizada no final da descrição do transistor no seu
encapsulamento. O intervalo da classificação CC (hfe) do
transistor 2SD669A estará entre:
-
2SD669-B: 60 ~ 120
-
2SD669-C: 100 ~ 200
-
2SD669-D: 160 ~ 320
-
2SD669: 60 ~ 320
- 2SD669-B: 60 ~ 120
- 2SD669-C: 100 ~ 200
- 2SD669-D: 160 ~ 320
- 2SD669: 60 ~ 320
Par Complementar do Transistor:
O transistor NPN 2SD669 é complementar do transistor PNP 2SB649
Substitutos e Equivalentes para o Transistor 2SD669
O transistor 2SD669 pode ser substituído pelos seguintes transistores:
2SD669A, CSD669A, ECG373.
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