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segunda-feira, 10 de dezembro de 2018

Datasheet Pinagem - Transistor Mosfet Canal-N MTW32N20E - Características e Substituição

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Pinagem-Pinout-Transistor-Mosfet-Canal-N-MTW32N20E-Características-Substituição

Características Básicas do Transistor Mosfet MTW32N20E

  • Tipo: Canal-N
  • Tensão de ruptura Dreno-Source: 200 V
  • Tensão Gate-Source, máximo: ± 20 V
  • Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 75 m
  • Corrente contínua Dreno: 32 A
  • Carga Total da Gate: 120 nC
  • Dissipação de energia: 180 W
  • Range de temperatura da junção de operação: -55 a +175 °C
  • Encapsulamento: TO-247AE

Substitutos e Equivalentes para o Transistor MTW32N20E

O transistor MTW32N20E pode ser substituído pelos seguintes transistores: 
IRFP260N, STW40N20, STW38NB20.

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Forte abraço!
Deus vos Abençoe!
Shalom.

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