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segunda-feira, 10 de dezembro de 2018

Datasheet Pinagem - Transistor Mosfet Canal-N IRF610 - Características e Substituição

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Características Básicas do Transistor Mosfet IRF610

  • Tipo: Canal-N
  • Tensão de ruptura Dreno-Source (VDSS): 200 V
  • Tensão Gate-Source, máximo (VGS): ± 20 V
  • Resistência máxima estado ativo Dreno-Source (RDS(on)): 1,5 
  • Corrente contínua Dreno (ID): 3,3 A
  • Carga Total da Gate (Qg): 8,2 nC
  • Dissipação de energia (PD): 36 W
  • Range de temperatura da junção de operação: -55 a +150 °C
  • Encapsulamento: TO-220AB
Datasheet completo IRF610

Par Complementar do Transistor MOSFET: 

O transistor Canal-N IRF610 é complementar do transistor Canal-P IRF9610

Substitutos e Equivalentes para o Transistor IRF610

O transistor Mosfet IRF610 pode ser substituído pelos seguintes transistores: 
BUZ732SK1155, BUZ206.

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Forte abraço!
Deus vos Abençoe!
Shalom.

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