Datasheet - Pinagem - Transistor Mosfet Canal-N IPW60R041C6 - Características e Substituições

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Características Básicas do Transistor Mosfet IPW60R041C6

• Tipo: Canal-N
• Tensão de ruptura Dreno-Source: 650 V
• Tensão Gate-Source, máximo: ± 20 V
• Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 41 mΩ
• Corrente contínua Dreno: 77,5 A
• Carga Total da Gate: 290 nC
• Dissipação de energia: 481 W
• Range de temperatura da junção de operação: -55 a +175 °C
• Encapsulamento: TO-247

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Substitutos e Equivalentes para o Transistor IPW60R041C6

O transistor Mosfet IPW60R041C6 pode ser substituído pelos seguintes transistores: 

6R041C6.

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