FVM Learning

Nosso maior compromisso é compartilhar conhecimentos, somos simples, mas não simplórios, astuto, mas não pacóvio, nos posicionamos empenhados em mostrar o caminho para desmistificação do opróbrio em legítima defesa do conhecimento compartilhado. Eng. Jemerson Marques!

segunda-feira, 10 de dezembro de 2018

Datasheet - Pinagem - Transistor Mosfet Canal-N 6R041C6 - Características e Substituições

Pinagem-Pinout-Transistor-Mosfet-Canal-N-6R041C6-Características-Substituição

Características Básicas do Transistor Mosfet 6R041C6

  • Tipo: Canal-N
  • Tensão de ruptura Dreno-Source: 650 V
  • Tensão Gate-Source, máximo: ± 20 V
  • Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 41 mΩ
  • Corrente contínua Dreno: 77,5 A
  • Carga Total da Gate: 290 nC
  • Dissipação de energia: 481 W
  • Range de temperatura da junção de operação: -55 a +175 °C
  • Encapsulamento: TO-247

Substitutos e Equivalentes para o Transistor 6R041C6

O transistor Mosfet 6R041C6 pode ser substituído pelos seguintes transistores: 

IPW60R041C6.

Se você encontrou algum erro, por favor, nos avise através do campo de mensagem abaixo!

Se inscreva no nosso BlogClique Aqui — FVM Learning!


Forte abraço!
Deus vos Abençoe!
Shalom.

Nenhum comentário:

Postar um comentário