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Características Básicas do Transistor Mosfet 15N65-T47
- Tipo: Canal-N
- Tensão de ruptura Dreno-Source: 650 V
- Tensão Gate-Source, Máximo: ± 30 V
- Resistência Máxima Estado Ativo Dreno-Source: 0,44 Ω
- Corrente Contínua Dreno: 15 A
- Carga Total da Gate: 63 nC
- Dissipação de energia: 312 W
- Range de Temperatura da Junção de Operação: -55 a +150 °C
- Encapsulamento: TO-247
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Módulos!Substitutos e Equivalentes para o Transistor 15N65-T47
O transistor 15N65-T47 pode ser substituído pelos seguintes transistores:
18N65, 20N65, 22N65, IPW65R019C7, IPW65R037C6, IPW65R041CFD, IPW65R070C6, IPW90R120C3.
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