FVM Learning

Nosso maior compromisso é compartilhar conhecimentos, somos simples, mas não simplórios, astuto, mas não pacóvio, nos posicionamos empenhados em mostrar o caminho para desmistificação do opróbrio em legítima defesa do conhecimento compartilhado. Eng. Jemerson Marques!

segunda-feira, 10 de dezembro de 2018

Datasheet Pinagem - Transistor Mosfet Canal-N IRFB13N50APbF - Características e Substituição

Datasheet-Pinagem-Pinout-Transistor-Mosfet-Canal-N-IRFB13N50APbF-Características-Substituição-fvml
Pinagem-Pinout-Transistor-Mosfet-Canal-N-IRFB13N50APbF-Características-Substituição

Características Básicas do Transistor Mosfet IRFB13N50APbF

  • Tipo: Canal-N
  • Tensão de ruptura Dreno-Source: 500 V
  • Tensão Gate-Source, Máximo: ± 30 V
  • Resistência Máxima Estado Ativo Dreno-Source: 0,45 Ω
  • Corrente Contínua Dreno: 14 A
  • Carga Total da Gate: 81 nC
  • Dissipação de energia: 250 W
  • Range de Temperatura da Junção de Operação: -55 a +150 °C
  • Encapsulamento: TO-220AB

Substitutos e Equivalentes para o Transistor IRFB13N50APbF

O transistor IRFB13N50APbF pode ser substituído pelos seguintes transistores: 
IRF13N50, IRFB13N50A, 2SK3682‑01, 18N50, IRFB16N50K, IRFB17N50L, IRFB18N50K, IRFB20N50K.

Se você encontrou algum erro, por favor, nos avise através do campo de mensagem abaixo!

Se inscreva no nosso BlogClique Aqui — FVM Learning!

Forte abraço!
Deus vos Abençoe!
Shalom.

Nenhum comentário:

Postar um comentário