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segunda-feira, 10 de dezembro de 2018

Datasheet - Pinagem - Transistor Mosfet Canal-N IRF3415PbF - Características e Substituição

Pinagem-Pinout-Transistor-Mosfet-Canal-N-IRF3415PbF-Características-Substituição

Características Básicas do Transistor Mosfet IRF3415PbF

  • Tipo: Canal-N
  • Tensão de ruptura Dreno-Source: 150 V
  • Tensão Gate-Source, máximo: ± 20 V
  • Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 42 mΩ
  • Corrente contínua Dreno: 43 A
  • Carga Total da Gate: 200 nC
  • Dissipação de energia: 200 W
  • Range de temperatura da junção de operação: -55 a +175 °C
  • Encapsulamento: TO-220AB

Informação Relevante

A diferença principal entre os transistores IRF3415 e IRF3415PbF reside na terminação "PbF". O sufixo "PbF" indica que o transistor é livre de chumbo, conforme as regulamentações ambientais. Em termos de desempenho elétrico, ambos os transistores são semelhantes.

Substitutos e Equivalentes para o Transistor IRF3415PbF

O transistor IRF3415PbF pode ser substituído pelos seguintes transistores: 
IRFB260N, IRF3415, IRFB4115, IRFB4127, IRFB4127PbF, IRFB4332, IRFB52N15D, IRFB4115G, IRFB4233, IRFB4321, IRFB4321G, IRFB61N15D.

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Forte abraço!
Deus vos Abençoe!
Shalom.

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