Datasheet Pinagem - Transistor Mosfet Canal-N 2SK2611 - Características e Substituições

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Características Básicas do Transistor Mosfet 2SK2611

• Tipo: Canal-N

• Tensão de ruptura Dreno-Source: 900 V

• Tensão Gate-Source, máximo: ± 30 V

• Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 1,4 Ω

• Corrente contínua Dreno: 9A

• Carga Total da Gate: 58 nC

• Dissipação de energia: 150 W

• Range de temperatura da junção de operação: -55 a +150 °C

• Encapsulamento: TO-3PN

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Substitutos e Equivalentes para o Transistor 2SK2611

O transistor Mosfet 2SK2611 pode ser substituído pelos seguintes transistores: 

9N95, 11N90, 2SK1933, 2SK3341N, 2SK4207, 9N90, 10N90, 11N95.

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