Pinagem - Pinout - 2N5551
Características básica do Transistor Bipolar 2N5551
- Tipo: NPN
- Tensão Coletor-Emissor: 160 V
- Tensão Coletor-Base: 180 V
- Tensão Emissor-Base: 6 V
- Corrente-Collector: 0.6 A
- Dissipação de Coletor: 0.625 W
- Ganho de Corrente DC (hfe) - 80 to 250
- Range de temperatura da junção de operação: -55 to +150 °C
- Encapsulamento: TO-92
- Datasheet Completo: 2N5551
O transistor NPN 2N5551 é complementar do transistor PNP 2N5401
O transistor 2N5551 pode ser substituído por:
2N5551G, 2N5833, NTE194
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