Datasheet Pinagem - Transistor Mosfet Canal-N 2N7000 - Características e Substituição

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Características Básicas do Transistor Mosfet 2N7000

• Tipo: Canal-N

• Tensão de ruptura Dreno-Source (V_DSS): 60 V

• Tensão Gate-Source, máximo (V_GS): ± 20 V

• Resistência máxima estado ativo Dreno-Source (R_DS(on)): 5 Ω

• Corrente contínua Dreno (I_D): 200 mA

• Dissipação de energia (P_D): 350 mW

• Range de temperatura da junção de operação: -55 a +150 °C

• Encapsulamento: TO-92

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Substitutos e Equivalentes para o Transistor 2N7000

O transistor 2N7000 pode ser substituído pelos seguintes transistores: 

BS170, 2SK1272, 2SK1484, 2SK4151, 2SK614, BS270, H01N45A.

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