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segunda-feira, 10 de dezembro de 2018

Datasheet Pinagem - Transistor Mosfet Canal-N 2N7000 - Características e Substituição

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Pinagem-Pinout-Transistor-Mosfet-Canal-N-2N7000-Características-Substituição

Características Básicas do Transistor Mosfet 2N7000

  • Tipo: Canal-N
  • Tensão de ruptura Dreno-Source: 60 V
  • Tensão Gate-Source, máximo: ± 20 V
  • Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 5 Ω
  • Corrente contínua Dreno: 500 mA
  • Dissipação de energia: 350 mW
  • Range de temperatura da junção de operação: -55 à +150 °C
  • Encapsulamento: TO-92

Datasheet completo 2N7000

Substitutos e Equivalentes para o Transistor 2N7000

O transistor 2N7000 pode ser substituído pelos seguintes transistores: 
BS170, 2N7002.

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Forte abraço.
Deus vos Abençoe!
Shalom!

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