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segunda-feira, 10 de dezembro de 2018

Datasheet Pinagem - Transistor Mosfet Canal-N IRFB4227PbF - Características e Substituição

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Características Básicas do Transistor Mosfet IRFB4227PbF

  • Tipo: Canal-N
  • Tensão de ruptura Dreno-Source: 200 V
  • Tensão Gate-Source, Máximo: ± 30 V
  • Resistência Máxima Estado Ativo Dreno-Source: 24 mΩ
  • Corrente Contínua Dreno: 65 A
  • Carga Total da Gate: 79 nC
  • Dissipação de energia: 330 W
  • Range de Temperatura da Junção de Operação: -55 a +175 °C
  • Encapsulamento: TO-220AB

Informação Relevante

A diferença principal entre os transistores IRFB4227 e IRFB4227PbF reside na terminação "PbF". O sufixo "PbF" indica que o transistor é livre de chumbo, conforme as regulamentações ambientais. Em termos de desempenho elétrico, ambos os transistores são semelhantes.

Substitutos e Equivalentes para o Transistor IRFB4227PbF

O transistor IRFB4227PbF pode ser substituído pelos seguintes transistores: 
IRFB4227, AUIRFB4227, SUP90142E.

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Forte abraço.
Deus vos Abençoe!
Shalom!

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