Datasheet Pinagem - Transistor Mosfet Canal-N IRF640N - Características e Substituição

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Características Básicas do Transistor Mosfet IRF640N

• Tipo: Canal-N
• Tensão de ruptura Dreno-Source: 200 V
• Tensão Gate-Source, máximo: ± 20 V
• Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 0,15 Ω
• Corrente contínua Dreno: 18 A
• Carga Total da Gate: 67 nC
• Dissipação de energia: 150 W
• Range de temperatura da junção de operação: -55 a +175 °C
• Encapsulamento: TO-220AB

Datasheet completo IRF640N

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Substitutos e Equivalentes para o Transistor IRF640N

O transistor IRF640N pode ser substituído pelos seguintes transistores: 

40N20, IRFB260N, IRFB4127, IRFB4127PbF, IRFB4227, IRFB4332, CS40N20A8, IRFB23N20D, IRFB31N20D, IRFB38N20D, IRFB4229, IRFB4233, IRFB42N20D.

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