Datasheet Pinagem - Transistor Mosfet Canal-N 13N50F - Características e Substituição

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Características Básicas do Transistor Mosfet 13N50F

• Tipo: Canal-N

• Tensão de ruptura Dreno-Source: 500 V

• Tensão Gate-Source, Máximo: ± 30 V

• Resistência Máxima Estado Ativo Dreno-Source: 0,48 Ω

• Corrente Contínua Dreno: 13 A

• Carga Total da Gate: 56 nC

• Dissipação de energia: 48 W

• Range de Temperatura da Junção de Operação: -55 a +150 °C

• Encapsulamento: TO-220F

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Substitutos e Equivalentes para o Transistor 13N50F

O transistor 13N50F pode ser substituído pelos seguintes transistores: 

13N50, 2SK3505, 16N65MF, 18N50MF. 

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