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Características Básicas do Transistor Bipolar PNP BD676A
- Tipo: PNP
 - Tensão Coletor-Emissor: -45 V
 - Tensão Coletor-Base: -45 V
 - Tensão Emissor-Base: -5 V
 - Corrente-Coletor: -4 A
 - Dissipação de Coletor: 40 W
 - Ganho de Corrente CC (hfe): 750
 - Frequência de transição: 1 MHz
 - Range de temperatura da junção de operação: -65 a +150 °C
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      Encapsulamento: TO-126
 
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      Módulos!Par Complementar do Transistor:
  O transistor PNP BD676A é complementar do transistor NPN BD675A
Substitutos e Equivalentes para o Transistor BD676A
      O transistor BD676A pode ser
        substituído pelos seguintes transistores:
    
  
  
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