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Características Básicas do Transistor Bipolar PNP BD676
- Tipo: PNP
- Tensão Coletor-Emissor: -45 V
- Tensão Coletor-Base: -45 V
- Tensão Emissor-Base: -5 V
- Corrente-Coletor: -4 A
- Dissipação de Coletor: 40 W
- Ganho de Corrente CC (hfe): 750
- Frequência de transição: 1 MHz
- Range de temperatura da junção de operação: -65 a +150 °C
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Encapsulamento: TO-126
Par Complementar do Transistor:
O transistor PNP BD676 é complementar do transistor NPN BD675
Substitutos e Equivalentes para o Transistor BD676
O transistor BD676 pode ser
substituído pelos seguintes transistores:
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