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segunda-feira, 10 de dezembro de 2018

Datasheet Pinagem - Transistor Mosfet Canal-P FQPF15P12 - Características e Substituição

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Características Básicas do Transistor Mosfet FQPF15P12

  • Marcação Transistor: 15P12
  • Tipo: Canal-P
  • Tensão de ruptura Dreno-Source: -120 V
  • Tensão Gate-Source, máximo: ± 30 V
  • Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 0,20 Ω
  • Corrente contínua Dreno: -15A
  • Dissipação de energia: 41 W
  • Carga de Gate Total: 38 nC
  • Range de temperatura da junção de operação: -55 a +175 °C
  • Encapsulamento: TO-220


Substitutos e Equivalentes para o Transistor FQPF15P12

O transistor Mosfet FQPF15P12 pode ser substituído pelos seguintes transistores: 


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Forte abraço!
Deus vos Abençoe!
Shalom.

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