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segunda-feira, 10 de dezembro de 2018

Datasheet Pinagem - Transistor Mosfet Canal-N MTM4N50 - Características e Substituições

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Características Básicas do Transistor Mosfet MTM4N50

  • Tipo: Canal-N
  • Tensão de ruptura Dreno-Source: 500 V
  • Tensão Gate-Source, máximo: ± 20 V
  • Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 1,5 Ω
  • Corrente contínua Dreno: 4 A
  • Carga Total da Gate: 30 nC
  • Dissipação de energia: 75 W
  • Range de temperatura da junção de operação: -55 a +150 °C
  • Encapsulamento: TO-204AA


Substitutos e Equivalentes para o Transistor MTM4N50

O transistor Mosfet MTM4N50 pode ser substituído pelos seguintes transistores: 

IRF430, IRF432, 2N6762, 2N6912, 2N6914, 2N7122, 2N7297, 2SK1064, 2SK512, 17N60, IRF440, IRF442.

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Forte abraço!
Deus vos Abençoe!
Shalom.

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