FVM Learning

Nosso maior compromisso é compartilhar conhecimentos, somos simples, mas não simplórios, astuto, mas não pacóvio, nos posicionamos empenhados em mostrar o caminho para desmistificação do opróbrio em legítima defesa do conhecimento compartilhado. Eng. Jemerson Marques!

segunda-feira, 10 de dezembro de 2018

Datasheet Pinagem - Transistor Mosfet Canal-N IRF843 - Características e Substituição

Datasheet-Pinagem-Pinout-Transistor-Mosfet-Canal-N-IRF843-Características-Substituição-fvml
Pinagem-Pinout-Transistor-Mosfet-Canal-N-IRF843-Características-Substituição

Características Básicas do Transistor Mosfet IRF843

  • Tipo: Tipo-N
  • Tensão de ruptura Dreno-Source: 450 V
  • Tensão Gate-Source, máximo: ± 20 V
  • Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 1,10 
  • Corrente contínua Dreno: 7 A
  • Carga Total da Gate: 60 nC
  • Dissipação de energia: 125 W
  • Range de temperatura da junção de operação: -55 a +150 °C
  • Encapsulamento: TO-220AB


Substitutos e Equivalentes para o Transistor IRF843

O transistor IRF843 pode ser substituído pelos seguintes transistores: 
10N6512N6513N50IRF840AIRFB9N60AIRFB9N60APbFIRFB13N50A, IRF744, IRF840G, IRF840LC, IRFS841, IRFB17N50L, IRFB9N60A, IRFS840, STP8NA50, 2SK554, 2SK1158, 2SK1566, 2SK1567, 2SK1805, 2SK2116, 2SK2117, 2SK2118, 2SK2175, YTA840.

Se você encontrou algum erro, por favor, nos avise através do campo de mensagem abaixo!

Se inscreva no nosso BlogClique Aqui — FVM Learning!

Forte abraço!
Deus vos Abençoe!
Shalom.

Nenhum comentário:

Postar um comentário