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Características Básicas do Transistor Mosfet IRFP4768
- Tipo: Canal-N
- Tensão de ruptura Dreno-Source (VDSS): 250 V
- Tensão Gate-Source, máximo (VGS): ± 20 V
- Resistência Máxima Estado Ativo Dreno-Source (RDS(on)): 17,5mΩ
- Corrente contínua Dreno (ID): 93 A
- Carga Total da Gate (Qg): 270 nC
- Dissipação de energia (PD): 520 W
- Range de temperatura da junção de operação: -55 a +175 °C
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Encapsulamento: TO-247AC
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A diferença principal entre os transistores IRFP4768 e IRFP4768PbF reside na terminação "PbF". O sufixo "PbF" indica que o transistor é livre de chumbo, conforme as regulamentações ambientais. Em termos de desempenho elétrico, ambos os transistores são semelhantes.
Substitutos e Equivalentes para o Transistor IRFP4768
O transistor IRFP4768 pode ser substituído pelos seguintes transistores:
IRFP4768PbF, AUIRFP4768.
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