Datasheet - Pinagem - Transistor Mosfet Canal-N IRFP4768 - Características e Substituição

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Características básicas do Transistor Mosfet IRFP4768

• Tipo: Canal-N
• Tensão de ruptura Dreno-Source: 250 V
• Tensão Gate-Source, máximo: ± 20 V
• Resistência no estado ativo Dreno-Source, máxima: 17,5mΩ
• Corrente contínua Dreno: 93 A
• Carga Total da Gate: 180 nC
• Dissipação de energia: 520 W
• Range de temperatura da junção de operação: -55 à +175 °C
• Encapsulamento: TO-247AC

Datasheet completo: IRFP4768

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Substitutos e Equivalentes para o Transistor BC560C

O transistor BC560C pode ser substituídos pelos seguintes transistores: 

AUIRFP4768.

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