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Características Básicas do Transistor Bipolar MJE13009
- Tipo: NPN
- Tensão Coletor-Emissor: 400 V
- Tensão Coletor-Base: 700 V
- Tensão Emissor-Base: 9 V
- Corrente-Coletor: 12 A
- Dissipação de Coletor: 100 W
- Ganho de Corrente CC (hfe): 8 a 40
- Range de temperatura da junção de operação: -65 a +150 °C
- Frequência de transição: 4 MHz
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Encapsulamento: TO-220
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Substituição de Transistores, Mosfet, Diodo, Datasheet, Pinagem,
Módulos!Substitutos e Equivalentes para o Transistor MJE13009
O transistor MJE13009
pode ser substituído pelos seguintes transistores:
FJP13009, MJE13009G, MJE13008, KSE13009, KSE13008, 2SC3306,
2SC3257.
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