Datasheet Pinagem - Transistor Mosfet Canal-N 2SK3338W - Características e Substituição

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Características Básicas do Transistor Mosfet 2SK3338W

• Tipo: Canal-N

• Tensão de ruptura Dreno-Source: 500 V

• Tensão Gate-Source, máximo: ± 30 V

• Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 0,27Ω

• Corrente contínua Dreno: 20 A

• Carga Total da Gate: 75 nC

• Dissipação de energia: 340 W

• Range de temperatura da junção de operação: -55 a +150 °C

• Encapsulamento: TO-247

Datasheet completo: 2SK3338W

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Substitutos e Equivalentes para o Transistor 2SK3338W

O transistor 2SK3338W pode ser substituído pelos seguintes transistores: 

22N60, 2SK3338‑01, 2SK3339W, 2SK3339-01. 

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