Datasheet - Pinagem - Transistor Bipolar PNP S8550 - Características e Substituição

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Características Básicas do Transistor Bipolar S8550

• Tipo: NPN
• Tensão Coletor-Emissor: -25 V
• Tensão Coletor-Base: -40 V
• Tensão Emissor-Base: -5 V
• Corrente-Coletor: -700 mA
• Dissipação de Coletor: 1 W
• Ganho de Corrente CC (h_fe): 120 a 400
• Frequência de transição: 100 MHz
• Range de temperatura da junção de operação: -55 a +150 °C
• Encapsulamento: TO-92
  
  

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Classificação h_FE

O intervalo de ganho de corrente dos transistores varia conforme a letra sinalizada no final da descrição do transistor no seu encapsulamento. O intervalo da classificação CC (h_FE) do transistor S8550 estará entre:

• S8550C:  120 ~ 200
• S8550D:  160 ~ 300
• S8550E: 280 ~ 400
• S8550: 120 ~ 400

Par Complementar do Transistor:

O transistor PNP S8550 é complementar do transistor NPN S8050

Substitutos e Equivalentes para o Transistor S8550

O transistor S8550 pode ser substituído pelos seguintes transistores:

S8550C, S8550D, S8550E, 2SA1534A, 2SA2127‑AE, 2SB1043, 2SB1212, 2SB1298, 2SB1312, 2SB892, BDB04, MPSW51.

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