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Características Básicas do Transistor Bipolar 2N1309
- Tipo: PNP
- Tensão Coletor-Base: -30 V
- Tensão Emissor-Base: -25 V
- Corrente-Coletor: -300 mA
- Dissipação de Coletor: 150 mW
- Ganho Mínimo de Corrente CC (hfe): 80
- Frequência de transição mínima: 15 MHz
- Range de temperatura da junção de operação: -65 a +100 °C
- Encapsulamento: TO-5
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Módulos!Substitutos e Equivalentes para o Transistor 2N1309
O transistor 2N1309 pode ser substituído pelos seguintes transistores:
2N1309A, 2N2374, 2SA374, T2560.
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