Datasheet Pinagem - Transistor Mosfet Canal-P IRF4905 - Características e Substituição

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Características Básicas do Transistor Mosfet IRF4905 

• Tipo: Canal-P

• Tensão de ruptura Dreno-Source: -55 V

• Tensão Gate-Source, máximo: ± 20 V

• Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 0,02Ω

• Corrente contínua Dreno: 74 A

• Carga Total da Gate: 180 nC

• Dissipação de energia: 200 W

• Range de temperatura da junção de operação: -55 a +150 °C

• Encapsulamento: TO-220AB
  

Datasheet completo: IRF4905

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Substitutos e Equivalentes para o Transistor IRF4905

O transistor IRF4905 pode ser substituído pelos seguintes transistores: 
AP9581GP, IRF4905PBF, SM6101PSF.

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