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Características Básicas do Transistor Mosfet 40P03
- Tipo: Canal-P
- Tensão de ruptura Dreno-Source: -30 V
- Tensão Gate-Source, máximo: ± 20 V
- Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 28 mΩ
- Corrente contínua Dreno: -30 A
- Carga Total da Gate: 14 nC
- Dissipação de energia: 31,3 W
- Range de temperatura da junção de operação: -55 a +150 °C
- Encapsulamento: TO-220
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Substituição de Transistores, Mosfet, Diodo, Datasheet, Pinagem,
Módulos!Substitutos e Equivalentes para o Transistor 40P03
O transistor Mosfet 40P03 pode ser substituído pelos seguintes transistores:
UTT70P10, AP9591GP, HSP80P10, SE100P60, UTT40P04, UTT50P06, UTT50P10, UTT80P06.
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