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segunda-feira, 10 de dezembro de 2018

Datasheet - Pinagem - Transistor Mosfet Canal-N IRFP360PbF - Características e Substituição

Pinagem-Pinout-Transistor-Mosfet-Canal-N-IRFP360PbF-Características-Substituição

Características Básicas do Transistor Mosfet IRFP360PbF

  • Tipo: Canal-N
  • Tensão de ruptura Dreno-Source: 400 V
  • Tensão Gate-Source, máximo: ± 20 V
  • Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 0,20 
  • Corrente contínua Dreno: 23 A
  • Carga Total da Gate: 210 nC
  • Dissipação de energia: 280 W
  • Range de temperatura da junção de operação: -55 a +150 °C
  • Encapsulamento: TO-247AC


Informação Relevante

A diferença principal entre os transistores IRFP360 IRFP360PbF reside na terminação "PbF". O sufixo "PbF" indica que o transistor é livre de chumbo, conforme as regulamentações ambientais. Em termos de desempenho elétrico, ambos os transistores são semelhantes.

Substitutos e Equivalentes para o Transistor IRFP360PbF

O transistor IRFP360PbF pode ser substituído pelos seguintes transistores: 
IRFP360, 2SK3339W, 2SK3340W, 24N50, 25N40, SPW32N50C3, STW48NM60N, STW56N60M2, STW58NM60N.

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Forte abraço!
Deus vos Abençoe!
Shalom.

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