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segunda-feira, 10 de dezembro de 2018

Datasheet Pinagem - Transistor Mosfet Canal-P IRF9520 - Características e Substituição

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Características Básicas do Transistor Mosfet IRF9520

  • Tipo: Canal-P
  • Tensão de ruptura Dreno-Source (VDSS): -100 V
  • Tensão Gate-Source, máximo (VGS): ± 20 V
  • Resistência máxima estado ativo Dreno-Source (RDS(on)): 0,60 Ω
  • Corrente contínua Dreno (ID): 6,8A
  • Dissipação de energia (Qg): 60 W
  • Carga de Gate Total (PD): 18 nC
  • Range de temperatura da junção de operação: -55 a +175 °C
  • Encapsulamento: TO-220AB


Substitutos e Equivalentes para o Transistor IRF9520

O transistor Mosfet IRF9520 pode ser substituído pelos seguintes transistores: 

20P10, 30P10A, IRF9530, IRF9540, 2SJ138, 30P10A, 12P10, BUZ272.

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Forte abraço!
Deus vos Abençoe!
Shalom.

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