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segunda-feira, 10 de dezembro de 2018

Pinagem - Pinout - Transistor - NPN - TIP41 - Características

Pinagem - Pinout - TIP41

Características básica do Transistor Bipolar TIP41 

  • Tipo - NPN
  • Tensão Coletor-Emissor: 40 V
  • Tensão Coletor-Base: 40 V
  • Tensão Emissor-Base: 5 V
  • Corrente-Collector: 6 A
  • Dissipação de Coletor: 65 W
  • Ganho de Corrente DC (hfe) - 15 to 75
  • Range de temperatura da junção de operação: -65 to +150 °C
  • Encapsulamento: TO-220
  • Datasheet Completo: TIP41

O Transistor NPN TIP41 é complementar do transistor PNP TIP42

O transistor TIP41 pode ser substituídos por:
BD705, BD707, BD709, BD905, BD907, BD909, BDT41, BDT41A, BDT41AF, BDT41B, BDT41BF, BDT41F, TIP41A, TIP41AG, TIP41B, TIP41BG, TIP41G


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Pinagem - Pinout - Transistor - NPN - BD137 - Características

Pinagem - Pinout - BD137

Características básica do Transistor Bipolar NPN BD137 

  • Tipo - NPN
  • Tensão Coletor-Emissor: 60 V
  • Tensão Coletor-Base: 60 V
  • Tensão Emissor-Base: 5 V
  • Corrente-Collector: 1.5 A
  • Dissipação de Coletor: 12.5 W
  • Ganho de Corrente DC (hfe) - 40 to 250
  • Range de temperatura da junção de operação: -55 to +150 °C
  • Encapsulamento: TO-126
  • Datasheet Completo: BD137

O transistor NPN BD137 é complementar do Transistor PNP BD138

O transistor BD137 pode ser substituído por:
BD137G, BD139, BD139G, BD167, BD169, BD177, BD179, BD189, BD228, BD230, BD235, BD235G, BD237, BD237G, BD377, BD379, BD787, BD787G, BD789, BD791, MJE225, MJE242, MJE244, MJE721, MJE722.

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Pinagem - Pinout - Transistor - NPN - MJE13007 - Características

Pinagem - Pinout - MJE13007

Características básica do Transistor Bipolar MJE13007 

  • Tipo - NPN
  • Tensão Coletor-Emissor: 400 V
  • Tensão Coletor-Base: 700 V
  • Tensão Emissor-Base: 9 V
  • Corrente-Collector: 8 A
  • Dissipação de Coletor: 80 W
  • Ganho de Corrente DC (hfe) - 8 to 60
  • Range de temperatura da junção de operação: -65 to +150 °C
  • Encapsulamento: TO-220
  • Datasheet Completo: MJE13007


O MJE13007 pode ser substituído por:
FJP13007, KSE13007, KSE13007F, MJE13007A, MJE13007G, STD13007F


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Pinagem - Pinout - Transistor - NPN - BF494 - Características

Pinagem - Pinout - BF494

Características básica do Transistor Bipolar BF494

  • Tipo - NPN
  • Tensão Coletor-Emissor: 20 V
  • Tensão Coletor-Base: 30 V
  • Tensão Emissor-Base: 5 V
  • Corrente-Collector: 0.03 A
  • Dissipação de Coletor: 0.3 W
  • Ganho de Corrente DC (hfe) - 67 to 220
  • Range de temperatura da junção de operação: -65 à +150 °C
  • Encapsulamento: TO-92
  • Datasheet Completo: BF494

O transistor BF494 pode ser substituído por:
BF495.

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Pinagem - Pinout - Transistor Mosfet - NPN - IRF540 - Características

Pinagem - Pinout - Transistor Mosfet IRF540

Características básica do Transistor Mosfet IRF540
  • Tipo: NPN
  • Tensão de ruptura Dreno-Source: 100 V
  • Tensão Gate-Source, máximo: ± 20 V
  • Resistência no estado ativo Dreno-Source, máxima: 0,077 Ohm
  • Corrente contínua Dreno: 28 A
  • Carga Total da Gate: 72 nC
  • Dissipação de energia: 150 W
  • Encapsulamento: TO-220AB


Datasheet completo IRF540

O transistor IRF540 e complementar do transistor PNP IRF9540


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Pinagem - Pinout - Transistor Mosfet - PNP - IRF9540 - Características

Pinagem - Pinout - Transistor Mosfet IRF9540

Características básica do Transistor Mosfet IRF9540
  • Tipo: PNP
  • Tensão de ruptura Dreno-Source: - 100 V
  • Tensão Gate-Source, máximo: ± 20 V
  • Resistência no estado ativo Dreno-Source, máxima: 0,200 Ohm
  • Corrente contínua Dreno: 19 A
  • Carga Total da Gate: 61 nC
  • Dissipação de energia: 150 W
  • Encapsulamento: TO-220AB

Datasheet completo IRF9540

O transistor PNP IRF9540 é complementar do transistor NPN IRF540

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Pinagem - Pinout - Transistor Mosfet - NPN - IRF640 - Características

Pinagem - Pinout - Transistor Mosfet IRF640

Características básica do Transistor Mosfet IRF640
  • Tipo: NPN
  • Tensão de ruptura Dreno-Source: 200 V
  • Tensão Gate-Source, máximo: ± 20 V
  • Resistência no estado ativo Dreno-Source, máxima: 0,180 Ohm
  • Corrente contínua Dreno: 18 A
  • Carga Total da Gate: 70 nC
  • Dissipação de energia: 125 W
  • Encapsulamento: TO-220AB


Datasheet completo IRF640


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Pinagem - Pinout - Transistor Mosfet - NPN - IRF740 - Características

Pinagem - Pinout - Transistor Mosfet IRF740

Características básica do Transistor Mosfet IRF740
  • Tipo: NPN
  • Tensão de ruptura Dreno-Source: 400 V
  • Tensão Gate-Source, máximo: ± 20 V
  • Resistência no estado ativo Dreno-Source, máxima: 0,550 Ohm
  • Corrente contínua Dreno: 10 A
  • Carga Total da Gate: 63 nC
  • Dissipação de energia: 125 W
  • Encapsulamento: TO-220AB


Datasheet completo IRF740

O transistor IRF740 pode ser substituído por:

IRF740A, IRF740LC, IRFB13N50A, IRFB17N50L.


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Pinagem - Pinout - Transistor - PNP - MJ2955 - Características

Pinagem - Pinout - MJ2955

Características básica do Transistor Bipolar MJ2955

  • Tipo - PNP
  • Tensão Coletor-Emissor: -60 V
  • Tensão Coletor-Base: -100 V
  • Tensão Emissor-Base: 7 V
  • Corrente-Collector: -15 A
  • Dissipação de Coletor: -115 W
  • Ganho de Corrente DC (hfe) - 20 to 70
  • Range de temperatura da junção de operação: -65 to +200 °C
  • Encapsulamento: TO-03


Datasheet Completo: MJ2955.

O transistor PNP MJ2955 é complementar do transistor NPN 2N3055.

O transistor MJ2955 pode ser substituído por:
2N5879, 2N5880, 2N5883, 2N5883G, 2N5884, 2N5884G, 2N6030, 2N6246, 2N6247, 2N6248, 2N6436, 2N6437, 2N6438, MJ14001, MJ14001G, MJ14003, MJ14003G, MJ15016, MJ15016G, MJ2955A, MJ2955G, NTE219.


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Pinagem - Pinout - Transistor - NPN - 2N3055 - Características

Pinagem - Pinout - 2N3055

Características básica do Transistor Bipolar 2N3055

  • Tipo - NPN
  • Tensão Coletor-Emissor: 60 V
  • Tensão Coletor-Base: 100 V
  • Tensão Emissor-Base: 7 V
  • Corrente-Collector: 15 A
  • Dissipação de Coletor: 115 W
  • Ganho de Corrente DC (hfe) - 20 to 70
  • Range de temperatura da junção de operação: -65 to +200 °C
  • Encapsulamento: TO-03
  • Datasheet Completo: 2N3055

O transistor NPN 2N3055 é complementar do transistor PNP MJ2955.

O transistor 2N3055 pode ser substituído por:
2N3055A, 2N3055AG, 2N3055G, 2N3055H, 2N5039, 2N5630, 2N5671, 2N5672, 2N5881, 2N5882, 2N5885, 2N5885G, 2N5886, 2N5886G, 2N6471, 2N6472, BD130, BD182, BD183, KD502, KD503, MJ14000, MJ14000G, MJ14002, MJ14002G, MJ15015, MJ15015G, NTE130.


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Pinagem - Pinout - Transistor - NPN - 2N2222 - Características

Pinagem - Pinout - 2N2222

Características básica do Transistor Bipolar 2N2222

  • Tipo - NPN
  • Tensão Coletor-Emissor: 30 V
  • Tensão Coletor-Base: 60 V
  • Tensão Emissor-Base: 5 V
  • Corrente-Collector: 0.8 A
  • Dissipação de Coletor: 0.5 W
  • Ganho de Corrente DC (hfe) - 100 to 300
  • Range de temperatura da junção de operação: -55 to +150 °C
  • Encapsulamento: TO-92
  • Datasheet Completo: 2N2222

O transistor NPN 2N2222 é complementar do transistor PNP 2N2907

O transistor 2N2222 pode ser substituído por:
2N2221A, 2N2222A, NTE123A

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Pinagem - Pinout - Transistor - PNP - 2N2907 - Características

Pinagem - Pinout - 2N2907

Características básica do Transistor Bipolar 2N2907

  • Tipo - PNP
  • Tensão Coletor-Emissor: -40 V
  • Tensão Coletor-Base: -60 V
  • Tensão Emissor-Base: -5 V
  • Corrente-Collector: -0.6 A
  • Dissipação de Coletor: -0.6 W
  • Ganho de Corrente DC (hfe) - 100 to 300
  • Range de temperatura da junção de operação: -55 to +150 °C
  • Encapsulamento: TO-92
  • Datasheet Completo: 2N2907

O transistor PNP 2N2907 é complementar do transistor  NPN 2N2222

O transistor 2N2907 pode ser substituído por:
2N2907A, NTE159M.


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Pinagem - Pinout - Transistor - PNP - TIP32 - Características

Pinagem - Pinout - TIP32

Características básica do Transistor Bipolar TIP32 

  • Tipo - PNP
  • Tensão Coletor-Emissor: -40 V
  • Tensão Coletor-Base: -40 V
  • Tensão Emissor-Base: -5 V
  • Corrente-Collector: -3 A
  • Dissipação de Coletor: -40 W
  • Ganho de Corrente DC (hfe) - 10 to 50
  • Range de temperatura da junção de operação: -65 to +150 °C
  • Encapsulamento: TO-220
  • Datasheet Completo: TIP32

O transistor PNP TIP32 é complementar ao transistor NPN TIP31.

O TIP32 pode ser substituído por:
BDT32, BDT32A, BDT32B, D44C10, D44C4, D44C7, D45C10, D45C4, D45C7, TIP32A, TIP32AG, TIP32B, TIP32BG, TIP32G.


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Pinagem - Pinout - Transistor - PNP - 2N3906 - Características

Pinagem - Pinout - 2N3906

Características básica do Transistor Bipolar 2N3906 

  • Tipo - PNP
  • Tensão Coletor-Emissor: -40 V
  • Tensão Coletor-Base: -40 V
  • Tensão Emissor-Base: -5 V
  • Corrente-Collector: -0.2 A
  • Dissipação de Coletor: -0.625 W
  • Ganho de Corrente DC (hfe) - 100 to 300
  • Range de temperatura da junção de operação: -55 to +150 °C
  • Encapsulamento: TO-92
  • Datasheet Completo: 2N3906

O transistor PNP 2N3906 é complementar do transistor NPN 2N3904

O transistor 2N3906 pode ser substituído por:

2N4403, 2SA696, 2SA697, 2SA708, BC527, BC528, KN2907, KN2907A, KN3906, KSA708, KSP2907A, KSP55, KSP56, KSP8598, KSP8599, KTN2907, KTN2907A, MPS2907, MPS2907A, MPS2907AG, MPS2907G, MPS3906, MPS4354, MPS4355, MPS750, MPS750G, MPS751, MPS751G, MPS8598, MPS8598G, MPS8599, MPS8599G, MPSA55, MPSA55G, MPSA56, MPSA56G, MPSW51A, MPSW51AG, MPSW55, MPSW55G, MPSW56, MPSW56G, P2N2907A, P2N2907AG, PN200, PN2905, PN2905A, PN2907, PN2907A, PN4354, PN4355, ZTX550, ZTX951

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Pinagem - Pinout - Transistor - NPN - 2N3904 - Características

Pinagem - Pinout - 2N3904

Características básica do Transistor Bipolar 2N3904 

  • Tipo - NPN
  • Tensão Coletor-Emissor: 40 V
  • Tensão Coletor-Base: 60 V
  • Tensão Emissor-Base: 6 V
  • Corrente-Collector: 0.2 A
  • Dissipação de Coletor: 0.625 W
  • Ganho de Corrente DC (hfe) - 100 to 300
  • Range de temperatura da junção de operação: -55 to +150 °C
  • Encapsulamento: TO-92
  • Datasheet Completo: 2N3904

O transistor NPN 2N3904 é complementar do transistor PNP 2N3906

O transistor 2N3904 pode ser substituído por:
2N4401, 2SC1008, 2SC1210, 2SC1211, 2SC815, BC537, BC538, KN2222A, KN3904, KSC1008, KSC815, KSP05, KSP06, KSP2222A, KSP8098, KSP8099, KTN2222A, MPS2222A, MPS2222AG, MPS650, MPS650G, MPS651, MPS651G, MPS8098, MPS8098G, MPS8099, MPS8099G, MPSA05, MPSA05G, MPSA06, MPSA06G, MPSW01A, MPSW01AG, MPSW05, MPSW05G, MPSW06, MPSW06G, NTE123AP, P2N2222A, P2N2222AG, PN100, PN2219A, PN2222A, PN3569, PN4033, ZTX450.

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Pinagem - Pinout - Regulador de tensão TL783 - Características

Pinagem - Pinout - Regulador de tensão TL783


Características básica dos Reguladores de tensão TL783
  • Saída ajustável de 1,25 V a 125 V quando usado com um divisor de resistor externo
  • Corrente de saída 700mA
  • Proteção completa contra curto-circuito, área de operação segura e desligamento térmico
  • Regulação típica da tensão de entrada 0,001% / V
  • Regulação típica da tensão de saída de 0,15%
  • Rejeição típica de ondulações de 76 dB
Datasheet completo do TL783

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Pinagem - Pinout - Transistor Bipolar - NPN - TIP130 - Características

Pinagem - Pinout - TIP130


Características básica do Transistor Bipolar TIP130 

  • Tipo - NPN
  • Tensão Coletor-Emissor: 60 V
  • Tensão Coletor-Base: 60 V
  • Tensão Emissor-Base: 5 V
  • Corrente-Collector: 8 A
  • Dissipação de Coletor: 70 W
  • Ganho de Corrente DC (hfe) - 1000 to 15000
  • Range de temperatura da junção de operação: -65 to +150 °C
  • Encapsulamento: TO-220
  • Datasheet Completo: TIP130

O Transistor NPN TIP130 é complementar do transistor PNP TIP135.

O transistor TIP130 pode ser substituídos por:

2N6043, 2N6043G, 2N6044, 2N6044G, 2N6045, 2N6045G, 2N6387, 2N6387G, 2N6388, 2N6388G, BD203, BD303, BD535, BD537, BD543A, BD543B, BD543C, BD545A, BD545B, BD545C, BD645, BD647, BD649, BD651, BD797, BD799, BD801, BD807, BD809, BD897, BD897A, BD899, BD899A, BD901, BDT63, BDT63A, BDT63B, BDT63C, BDT65, BDT65A, BDT65B, BDT65C, BDT81, BDT81F, BDT83, BDT83F, BDT85, BDT85F, BDT87, BDT87F, BDW40, BDW41, BDW41G, BDW42, BDW42G, BDW43, BDW73A, BDW73B, BDW73C, BDW73D, BDX33A, BDX33B, BDX33BG, BDX33C, BDX33CG, BDX33D, BDX53A, BDX53B, BDX53BG, BDX53C, BDX53CG, BDX53D, BDX77, D44H11, D44H11FP, D44H8, MJE15028, MJE15028G, TIP100, TIP100G, TIP101, TIP101G, TIP102, TIP102G, TIP130G, TIP131, TIP131G, TIP132, TIP132G, TIP140T, TIP141T, TIP142T.


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Pinagem - Pinout - Transistor Mosfet - NPN - IRF840 - Características

Pinagem - Pinout - Transistor Mosfet IRF840

Características básica do Transistor Mosfet IRF840
  • Tipo: NPN
  • Tensão de ruptura Dreno-Source: 500 V
  • Tensão Gate-Source, máximo: ± 20 V
  • Resistência no estado ativo Dreno-Source, máxima: 0,850 Ohm
  • Corrente contínua Dreno: 8 A
  • Carga Total da Gate: 63 nC
  • Dissipação de energia: 125 W
  • Encapsulamento: TO-220AB

Substitutos e Equivalentes para o Mosfet IRF840

Substituído por: IRF840AIRF840LCIRFB13N50AIRFB17N50LIRFB9N60A


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