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segunda-feira, 10 de dezembro de 2018

Pinagem - Pinout - Transistor - NPN - 2N2218 - Características

Pinagem - Pinout - 2N2218

Características básica do Transistor Bipolar 2N2218

  • Tipo - NPN
  • Tensão Coletor-Emissor: 30 V
  • Tensão Coletor-Base: 60 V
  • Tensão Emissor-Base: 5 V
  • Corrente-Collector: 0.8 A
  • Dissipação de Coletor: 0.8 W
  • Ganho de Corrente DC (hfe) - 40 to 120
  • Range de temperatura da junção de operação: -65 to +200 °C
  • Encapsulamento: TO-39

    Datasheet Completo: 2N2218
O transistor NPN 2N2218 é complementar do transistor PNP 2N2102.

O transistor 2N2218 pode ser substituído por:
2N2218A, 2N3108, 2N3110, 2N4030, 2N4237, 2N4238, 2N5334, 2SC109A, 2SC512, BC140, BC141, BC440, BC441.

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Shalom

Pinagem - Pinout - Transistor - PNP - BC557 - Características

Pinagem - Pinout - BC557

Características básica do Transistor Bipolar BC557 

  • Tipo - PNP
  • Tensão Coletor-Emissor: -45 V
  • Tensão Coletor-Base: -50 V
  • Tensão Emissor-Base: -6 V
  • Corrente-Collector: -0.1 A
  • Dissipação de Coletor: -0.5 W
  • Ganho de Corrente DC (hfe) - 110 to 800
  • Range de temperatura da junção de operação: -65 to +150 °C
  • Encapsulamento: TO-92
  • Datasheet Completo: BC557

Classificação do hFE

O transistor BC557 pode ter um ganho de corrente entre 110 e 800. O ganho do BC557A estará no intervalo de 110 a 220, o BC557B varia de 200 a 450, o BC557C varia de 420 a 800.

O transistor PNP BC557 é complementar do transistor NPN BC547

O transistor BC557 pode ser substituído por:
BC556, BC560.

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Pinagem - Pinout - Transistor Bipolar de Potência PNP 2SA1943 - Características

Transistor Bipolar de Potência PNP 2SA1943 - Características

Características do transistor bipolar 2SA1943

  • Tipo - PNP
  • Tensão coletor-emissor: - 230 V
  • Tensão base do coletor: - 230 V
  • Tensão base do emissor: - 5 V
  • Corrente do coletor: - 15 A
  • Dissipação do coletor - 100 W
  • Ganho de corrente DC (hfe) - 55 a 160 ***
  • Frequência de transição - 30 MHz
  • Faixa de temperatura de junção de operação e armazenamento -55 a +150 ° C
  • Pacote - TO-264

O transistor PNP 2SA1943 é complementar ao  transistor NPN 2SC5200.

Substitutos e Equivalentes para o Transistor PNP 2SA1943
Substituído por:  2SA1962, 2SA1986, 2SA2151A, 2SA2151A-O, 2SA2151A-P, 2SA2151A-Y, FJA4213, FJL4215, KTA1943, KTA1943A, KTA1962, KTA1962A, MJW1302A, MJW1302AG

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Pinagem - Pinout - Transistor Bipolar - PNP - TIP135 - Características

Pinagem - Pinout - TIP135


Características básica do Transistor Bipolar TIP135 

  • Tipo - PNP
  • Tensão Coletor-Emissor: -60 V
  • Tensão Coletor-Base: -60 V
  • Tensão Emissor-Base: -5 V
  • Corrente-Collector: -8 A
  • Dissipação de Coletor: 70 W
  • Ganho de Corrente DC (hfe) - 1000 to 15000
  • Range de temperatura da junção de operação: -65 to +150 °C
  • Encapsulamento: TO-220
  • Datasheet Completo: TIP135

O Transistor PNP TIP135 é complementar do transistor NPN TIP130.

O transistor TIP135 pode ser substituídos por:
2N6040, 2N6040G, 2N6041, 2N6041G, 2N6042, 2N6042G, 2N6667, 2N6667G, 2N6668, 2N6668G, BD204, BD304, BD536, BD538, BD544A, BD544B, BD544C, BD546A, BD546B, BD546C, BD646, BD648, BD650, BD652, BD798, BD800, BD802, BD808, BD810, BD898, BD898A, BD900, BD900A, BD902, BDT62, BDT62A, BDT62B, BDT62C, BDT64, BDT64A, BDT64B, BDT64C, BDT82, BDT82F, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDW45, BDW46, BDW46G, BDW47, BDW47G, BDW48, BDW74A, BDW74B, BDW74C, BDW74D, BDX34A, BDX34B, BDX34BG, BDX34C, BDX34CG, BDX34D, BDX54A, BDX54B, BDX54BG, BDX54C, BDX54CG, BDX54D, BDX78, D45H11, D45H11FP, D45H8, MJE15029, MJE15029G, TIP105, TIP105G, TIP106, TIP106G, TIP107, TIP107G, TIP135G, TIP136, TIP136G, TIP137, TIP137G, TIP145T, TIP146T or TIP147T


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Pinagem - Pinout - Transistor - NPN - BC547 - Características

Pinagem - Pinout - BC547

Características básica do Transistor Bipolar BC547 

  • Tipo - NPN
  • Tensão Coletor-Emissor: 45 V
  • Tensão Coletor-Base: 50 V
  • Tensão Emissor-Base: 6 V
  • Corrente-Collector: 0.1 A
  • Dissipação de Coletor: 0.5 W
  • Ganho de Corrente DC (hfe) - 110 to 800
  • Range de temperatura da junção de operação: -65 to +150 °C
  • Encapsulamento: TO-92
  • Datasheet Completo: BC547

Classificação do hFE

O transistor BC547 pode ter um ganho de corrente entre 110 e 800. O ganho do BC547A estará no intervalo de 110 a 220, o BC547B varia de 200 a 450, o BC547C varia de 420 a 800.

O transistor NPN BC547 é complementar do transistor PNP BC557

O transistor BC547 pode ser substituído por:
BC546, BC550.

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Pinagem - Pinout - Regulador de tensão LM350 - Características

Pinagem - Pinout - Regulador de tensão 

LM350


Características básica dos Reguladores de tensão LM350
  • Tipo: Tensão Positiva
  • Tensão de Saída Ajustável: 1.2V à 33V
  • Regulação de linha (Typ: 0,015% / V)
  • Corrente máximo - 3 Amperes
  • Regulação de carga (Typ: 0,1%)
  • Proteção interna contra sobrecarga térmica
  • Proteção contra curto-circuito

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Pinagem - Pinout - Regulador de tensão LM338 - Características

Pinagem - Pinout - Regulador de tensão 

LM338

Características básica dos Reguladores de tensão LM338
  • Tipo: Tensão Positiva
  • Tensão de Saída Ajustável: 1.2V à 35V
  • Regulagem de tensão de 0,01%
  • Corrente máximo - 5 Amperes
  • Regulagem de Carga de 0.3%
  • Proteção interna contra sobrecarga térmica
  • Proteção contra curto-circuito
  • Controle de SOA

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Pinagem - Pinout - Transistor Mosfet - NPN - IRF3710 - Características

Pinagem - Pinout - Transistor Mosfet IRF3710

Características básica do Transistor Mosfet IRF3710
  • Tipo: NPN
  • Tensão de ruptura Dreno-Source: 100 V
  • Tensão Gate-Source, máximo: ± 20 V
  • Resistência no estado ativo Dreno-Source, máxima: 0.023Ω
  • Corrente contínua Dreno: 57 A
  • Carga Total da Gate: 86.7 nC
  • Dissipação de energia: 200 W
  • Encapsulamento: TO-220AB

Datasheet completo IRF3710

O transistor Mosfet IRF3710 pode ser substituído por:
IRF8010, IRFB4110, IRFB4110G, IRFB4115, IRFB4115G, IRFB4127, IRFB4310, IRFB4310G, IRFB4310Z, IRFB4310ZG, IRFB4321, IRFB4321G, IRFB4410, IRFB4410Z, IRFB4410ZG, IRFB4710.

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Pinagem - Pinout - Transistor Bipolar de Potência NPN 2SC5200 - Características

Transistor Bipolar de Potência NPN 2SC5200 - Características

Características do transistor bipolar 2SC5200

  • Tipo - NPN
  • Tensão coletor-emissor: 230 V
  • Tensão base do coletor: 230 V
  • Tensão base do emissor: 5 V
  • Corrente do coletor: 15 A
  • Dissipação do coletor - 100 W
  • Ganho de corrente DC (hfe) - 55 a 160 ***
  • Frequência de transição - 30 MHz
  • Faixa de temperatura de junção de operação e armazenamento -55 a +150 ° C
  • Pacote - TO-264


*** O transistor 2SC5200 pode ter um ganho de corrente entre 55 e 160. O ganho do 2SC5200R estará no intervalo de 55 a 100, o 2SC5200O varia de 80 a 160, o 2SC5200N varia de 55 a 160.

O transistor 2SC5200 é complementar ao  transistor PNP 2SA1943.

Substitutos e Equivalentes para o Transistor NPN2SC5200
Substituído por: 2SC3320, 2SC5242, 2SC5358, 2SC6011A, 2SC6011A-O, 2SC6011A-P, 2SC6011A-Y, 2SD1313, FJA4313, FJL4315, KTC5200, KTC5200A, KTC5242, MTC5322A


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Pinagem - Pinout - Transistor - PNP - BD138 - Características

Pinagem - Pinout - BD138

Características básica do Transistor Bipolar PNP BD138 

  • Tipo - PNP
  • Tensão Coletor-Emissor: - 60 V
  • Tensão Coletor-Base: - 60 V
  • Tensão Emissor-Base: 5 V
  • Corrente-Collector: 1.5 A
  • Dissipação de Coletor: - 12.5 W
  • Ganho de Corrente DC (hfe) - 40 to 250
  • Range de temperatura da junção de operação: -55 to +150 °C
  • Encapsulamento: SOT-32
Datasheet Completo: BD138

O transistor PNP BD138 é complementar do transistor NPN BD137

O transistor BD138 pode ser substituído por:
BD138G, BD140, BD140G, BD168, BD170, BD178, BD180, BD180G, BD190, BD229, BD231, BD236, BD236G, BD238, BD238G, BD378, BD380, BD788, BD788G, BD790, BD792, MJE235, MJE252, MJE254, MJE711, MJE712.

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Pinagem - Pinout - Transistor Mosfet - NPN - IRF1405 - Características

Pinagem - Pinout - Transistor Mosfet IRF1405

Características básica do Transistor Mosfet IRF1405
  • Tipo: NPN
  • Tensão de ruptura Dreno-Source: 55 V
  • Tensão Gate-Source, máximo: ± 20 V
  • Resistência no estado ativo Dreno-Source, máxima: 5,3 mΩ
  • Corrente contínua Dreno: 169 A
  • Carga Total da Gate: 170 nC
  • Dissipação de energia: 330 W
  • Encapsulamento: TO-220AB

Datasheet completo IRF1405

O transistor Mosfet IRF1405 pode ser substituído por:
IRF1405Z, IRF2805, IRF2907Z, IRFB3006, IRFB3006G, IRFB3077, IRFB3077G, IRFB3206, IRFB3206G, IRFB3207, IRFB3207Z, IRFB3207ZG, IRFB3256, IRFB3306, IRFB3306G, IRFB4110, IRFB4110G

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Pinagem - Pinout - Transistor - PNP - BD136 - Características

Pinagem - Pinout - BD136

Características básica do Transistor Bipolar PNP BD136 

  • Tipo - PNP
  • Tensão Coletor-Emissor: - 45 V
  • Tensão Coletor-Base: - 45 V
  • Tensão Emissor-Base: 5 V
  • Corrente-Collector: 1.5 A
  • Dissipação de Coletor: - 12.5 W
  • Ganho de Corrente DC (hfe) - 40 to 250
  • Range de temperatura da junção de operação: -55 to +150 °C
  • Encapsulamento: SOT-32
Datasheet Completo: BD136

O transistor PNP BD136 é complementar do transistor NPN BD135

O transistor BD136 pode ser substituído por:
BD132, BD136G, BD138, BD138G, BD140, BD140G, BD166, BD168, BD170, BD176, BD178, BD180, BD180G, BD188, BD190, BD227, BD229, BD231, BD234, BD234G, BD236, BD236G, BD238, BD238G, BD376, BD378, BD380, BD786, BD788, BD788G, BD790, MJE235, MJE252, MJE711, MJE712.

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Pinagem - Pinout - Transistor - NPN - BF495 - Características

Pinagem - Pinout - BF495

Características básica do Transistor Bipolar BF495

  • Tipo - NPN
  • Tensão Coletor-Emissor: 20 V
  • Tensão Coletor-Base: 30 V
  • Tensão Emissor-Base: 5 V
  • Corrente-Collector: 30mA
  • Dissipação de Coletor: 30 mW
  • Ganho de Corrente DC (hfe) - 35 à 125
  • Range de temperatura da junção de operação: -65 to +150 °C
  • Encapsulamento: TO-92
  • Datasheet Completo: BF495

O transistor BF495 pode ser substituído por:
BF494.

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Pinagem - Pinout - Transistor - NPN - TIP31 - Características

Pinagem - Pinout - TIP31

Características básica do Transistor Bipolar TIP31 

  • Tipo - NPN
  • Tensão Coletor-Emissor: 40 V
  • Tensão Coletor-Base: 40 V
  • Tensão Emissor-Base: 5 V
  • Corrente-Collector: 3 A
  • Dissipação de Coletor: 40 W
  • Ganho de Corrente DC (hfe) - 10 to 50
  • Range de temperatura da junção de operação: -65 to +150 °C
  • Encapsulamento: TO-220
  • Datasheet Completo: TIP31

O transistor NPN TIP31 é complementar ao transistor PNP TIP32.

O TIP31 pode ser substituído por:
BDT31, BDT31A, BDT31B, TIP31A, TIP31AG, TIP31B, TIP31BG or TIP31G


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Pinagem - Pinout - Regulador de tensão LM78XX - Características

Pinagem - Pinout - Regulador de tensão LM78XX

5, 6, 8, 9, 10, 12, 15, 18, 24V

Características básica dos Reguladores de tensão LM78XX
  • Tipo: Tensão Positiva
  • Tensão máxima de entrada 35V
  • Tensão de Saída: 5, 6, 8, 9, 10, 12, 15, 18, 24V
  • Corrente máximo 1 Amperes
  • Proteção interna contra sobrecarga térmica
  • Proteção contra curto-circuito
  • Proteção SOA com transistor de Saída
  • Encapsulamento -  TO-220

Datasheet completo do Regulador de Tensão LM78XX


Informações de Operação

Dispositivo KA78XX com os finais
CT± 4% tolerância na tesão de saída
AT± 2% tolerância na tesão de saída
IT± 4% tolerância na tesão de saída

Temperatura de Operação, com finais
CT e AT = 0 ~ +125°C
IT = -40 ~ +125°C

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Pinagem - Pinout - Transistor - NPN - MJE13009 - Características

Pinagem - Pinout - MJE13009

Características básica do Transistor Bipolar MJE13009 

  • Tipo - NPN
  • Tensão Coletor-Emissor: 400 V
  • Tensão Coletor-Base: 700 V
  • Tensão Emissor-Base: 12 V
  • Corrente-Collector: 8 A
  • Dissipação de Coletor: 100 W
  • Ganho de Corrente DC (hfe) - 8 to 40
  • Range de temperatura da junção de operação: -65 to +150 °C
  • Encapsulamento: TO-220
  • Datasheet Completo: MJE13009

O MJE13009 pode ser substituído por:
FJP13009, KSE13009. MJE13009G


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Pinagem - Pinout - Transistor - PNP - NTE393 - Características

Pinagem - Pinout - Datasheet - NTE393

Características básica do Transistor Bipolar NTE393

  • Tipo - PNP
  • Tensão Coletor-Emissor: 100 V
  • Tensão Coletor-Base: 100 V
  • Tensão Emissor-Base: 5 V
  • Corrente-Collector: - 25 A
  • Dissipação de Coletor: 125 W
  • Ganho de Corrente DC (hfe) - 15 a 75
  • Range de temperatura da junção de operação: -65 to +150 °C
  • Encapsulamento: TO-218
  • Datasheet Completo: NTE393

O Transistor PNP NTE393 é complementar do transistor NPN NTE392

O transistor NTE393 pode ser substituídos por:
TIP36C, TIP36A, TIP36AG, TIP36B, TIP36BG.


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Pinagem - Pinout - Transistor - NPN - NTE392 - Características

Pinagem - Pinout - Datasheet - NTE392

Características básica do Transistor Bipolar NTE392

  • Tipo - NPN
  • Tensão Coletor-Emissor: 100 V
  • Tensão Coletor-Base: 100 V
  • Tensão Emissor-Base: 5 V
  • Corrente-Collector: 25 A
  • Dissipação de Coletor: 125 W
  • Ganho de Corrente DC (hfe) - 15 a 75
  • Range de temperatura da junção de operação: -65 to +150 °C
  • Encapsulamento: TO-218
  • Datasheet Completo: NTE392

O Transistor NPN NTE392 é complementar do transistor PNP NTE393

O transistor NTE392 pode ser substituídos por:
TIP35C, TIP35AG, TIP35B, TIP35BG


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